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title: ADI浪涌抑制器，常见的应用拓扑
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updated: 2022-01-11 07:33:15Z
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created: 2022-01-08 13:18:05Z
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ADI浪涌抑制器，常见的应用拓扑
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原文: https://www.digikey.cn/zh/forum/t/topic/945
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主动电路保护器件, 如果应用得当，可以大大减少保护元器件的占地空间，并简化设计。
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通过ADI浪涌抑制器，来带大家看看，使用主动电路保护器件，常见的应用拓扑有哪些。
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# 浪涌抑制器：线性
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浪涌抑制器的保护原理类似于线性稳压器。如下图，浪涌抑制器监测输入电压和电流。保护阈值由连接输出端的反馈网络决定。通过调节N沟道MOS管栅极，从而将MOS管输出电压钳制在相应的范围。
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图1 浪涌抑制器：线性 (图片来源于ADI)
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同时为了保护MOS管，一般通过一个电容故障定时器(TMR)来限制MOS管在高损耗区花费的时间。定时器本质上是一个对地电容器。当发生过电压情况时，内部电流源开始给外部电容充电。一旦这个电容达到一定的阈值电压，关闭MOS管。
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对于过流保护，如上图，一般通过一个电流检测电阻来监测。当过流情况出现，通过调节MOS管栅极来保证电流在限制范围之内。
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典型芯片： LT4363
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# 浪涌抑制器：开关
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对于高功率应用，开关浪涌抑制器是一个不错的选择。原理与开关电源、DC-DC转换器类似。阈值由输出端的反馈网络决定，通过调节N沟道MOS管栅极，将MOS管的输出电压钳制在电阻分压器设置的电平。
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图 2 浪涌抑制器：开关 (图片来源于ADI)
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与线性浪涌抑制器一样，也用一个故障定时器（TMR），来保护MOS管。上图的绿线是电容上的累积电压，我们可以看到，这个电压随着浪涌的出现开始累积，直至浪涌结束开始释放。
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典型芯片： LTC7860
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# 浪涌抑制器：门限电压
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这种浪涌抑制器的阈值，不由输入电压与反馈网络决定。而是通过设置内部钳位电压（也可以外加一个肖特基二极管来设置钳位电压），来限制住MOS管栅极电压。而MOS管的阈值电压决定输出电压极限。
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图 3 浪涌抑制器：门限电压 (图片来源于ADI)
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例如，使用内部31.5 V的栅极箝位和5 V的MOS管阈值电压，输出电压被限制为26.5 V。
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典型芯片： LTC4380
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# 保护控制器：输出断开
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与浪涌抑制器一样，监测过输入电压和电流的情况，但他不是钳制或调节输出，而是立即断开输出以保护下游电子设备。这种简单的保护电路可以有一个非常紧凑的封装，适合电池供电，便携式设备等应用领域。
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图 4 保护控制器：输出断开 (图片来源于ADI)
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如上图，保护控制器通过分压电阻来监测输入电压，形成一个从UV到OV地电压窗口。当输入电压超出电压窗口范围，马上通过MOS管断开输出。
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如上图，该方案使用背靠背MOS管，可以有效防止电压地反向输入。输出端的电流检测电阻，通过持续监测正向电流来实现过电流保护功能。
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典型芯片： LTC4368
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# 总结：
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主动浪涌抑制器，有各式各样种。
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可以根据开关放在芯片外面还是集成在芯片里面分为：
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内部开关浪涌抑制器
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外部开关浪涌抑制器 2
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根据使用场合，有各种各样的拓扑结构
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LT4363
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LT4363
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LTC4380
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LTC4368
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如果想最大限度地减少下游电子设备的停机时间，可以看下线性型或者开关型浪涌抑制器。从而最大限度地减少下游电子设备的停机时间。
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# 最后：
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当然，对应的电路保护器件不止这些。最重要的是，首先要了解你的项目中可能会出现的过电压/过电流/浪涌等各种潜在的危险情况。 然后根据项目具体的要求，如可靠性、反应速度、产品尺寸等要求，对症下药，合理选择合适的电路保护方案，才能事半功倍。
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对于电路保护被动元器件，可以看下面帖子：
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电路保护 - 被动元器件
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